Cluster
  • FABBRICA INTELLIGENTE
Codice ATECO
M72

Tecnologia ENEA

CRESCITA DI NANO-STRUTTURE DI CARBONIO SU SiC


Livello di Maturità Tecnologica (TRL)

2

Aspetti innovativi e relativi benefici

L’impianto per la crescita di nanotubi di carbonio, nanografite e grafene su SiC non utilizza catalizzatori, pertanto non sono richiesti trattamenti chimici successivi. I film di nanotubi sono free-standing.

Utilizzo

Variando i parametri di processo è possibile ottenere diverse nano-strutture di carbonio. Film di nano-tubi  di carbonio verticali possono essere utilizzati come emettitori di elettroni miniaturizzati.

Attività svolte e in corso

Parametrizzazione del processo per il controllo della crescita dei nanotubi. Attualmente in studio  l’ottimizzazione del processo per ottenere monolayer di grafene. Attività svolte in passato nell’ambito di progetti ASI e FISR.


Riferimenti:
S. Botti, R. Ciardi, L. Asilyan,  L. De Dominicis, F. Fabbri, S. Orlanducci, A. Fiori "Carbon nanotubes grown by laser annealing of Si-C nanoparticles" Chem.Phys. Lett. 400, 264-267 (2004)
S. Botti , L.S. Asilyan, R. Ciardi , F. Fabbri , S. Loreti , A. Santoni , S. Orlanducci, "Catalyst-free growth of carbon nanotubes by laser-annealing of amorphous SiC films",  Chem. Phys. Lett. 396, 1-5 (2004)
S. Botti, R. Ciardi, M. L. Terranova, S. Piccirillo, V. sessa, M. Rossi, M. Vittori-Antisari, "Self-assembled carbon nanotubes grown from nanosized carbon particles adsorbed on silicon", Appl. Phys.Lett. 80,  1441-1443 (2002)

Referente

Sabina Botti (sabina.botti <at> enea.it)