Nuovo brevetto ENEA per realizzare film sottili epitassiali su laminati metallici

24 aprile 2013

Brevetto.jpgUn metodo per la deposizione di un rivestimento multistrato di film sottili epitassiali su materiali metallici laminati privi di tessitura è il nuovo brevetto depositato dall’ENEA. Il metodo è particolarmente adatto alla produzione di nastri superconduttori di seconda generazione detti Coated conductors, da impiegare nelle applicazioni che richiedono la generazione di alti campi magnetici o il trasporto di alte correnti.

La deposizione del multistrato viene realizzata con un processo di crescita epitassiale, un processo che consente di ottenere un rivestimento avente una struttura cristallina definita e uguale a quella del substrato. Ciò che distingue il metodo proposto da quello standard è l'utilizzo di un singolo trattamento termico per indurre la giusta tessitura del substrato e la crescita epitassiale del materiale su di esso. In questo modo si ha una semplificazione del processo di realizzazione del rivestimento e una riduzione del costo di produzione rispetto alle altre tecniche attualmente impiegate, che hanno bisogno di ulteriori trattamenti termici di ricristallizzazione del substrato o di ricorrere all’ausilio di fasci ionici. Inoltre, le strutture realizzate con questo metodo presentano migliori proprietà strutturali e morfologiche rispetto a quelle prodotte con metodi standard.

L’invenzione è stata testata con successo per la produzione di film epitassiali con forte tessitura a base di lantanio-zirconio (La2Zr2O7) e cerio (CeO2) su vari substrati metallici, come rame o leghe di nichel e tungsteno.

Il brevetto, i cui inventori sono Andrea Augieri, Angelo Vannozzi e Giuseppe Celentano, è stato depositato il 2 aprile 2013 con numero RM2013A000190. È consultabile nella banca dati Brevetti ENEA dal 9 aprile 2013 ed è disponibile per il licensing.

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