Dotazione tecnica

I laboratori ENEA che si occupano dello sviluppo delle tecnologie dei film sottili dispongono di:

• Impianti per la sintesi da fase gassosa di film sottili semiconduttori (tecniche: RF-PECVD, Very High Frequency PECVD, Hot Wire CVD, Low Pressure CVD e RIE.
• DC/RF Sputtering a 3 catodi magnetron per la deposizione su substrati da 900 cm2 di film sottili di ossidi trasparenti e conduttori.  Sistema Metal Organic CVD a singola camera per la sintesi da fase gassosa di film sottili di ossidi metallici su substrati di vetro.
• Camere bianche in classe 100 e 10000, Mask-Aligner, Spinner, Profilometro meccanico, Wet bench, AFM/STM (Atomic Force Microscope /Scanning Tunnel Microscope) con testa per analisi elettrochimiche ed in ambiente controllato, Pattern Generator per maschere fotolitografiche in cromo fino a 6”.
• Sistema di Laser Scribing per l’inter-connessione delle celle in serie in moduli a film sottile completo di: un laser a stato solido Q switched CW-pumped Nd-VO4 oscillante a 1064 nm; un laser a stato solido Nd-YLF con una lunghezza d'onda di 523 nm; sistema di focalizzazione dei fasci, omogeneizzatore di fascio; tavole xy motorizzate ad alta precisione.
• Laser a eccimeri KrF con lunghezza d’onda 248 nm e picco di energia di 900 mJ; camera da vuoto con finestre di quarzo per irraggiamenti in ambiente controllato e deposizioni via laser ablation.
• Spettrofotometro UV/VIS/NIR, Ellissometro a modulazione di fase, SEM (Scanning Electron Microscope).
• Diffrattometro ad alta risoluzione (classical Bragg-Brentano, analisi di film sottili e tessitura), Spettrofotometro FT-IR e microscopio IR, Raman Spectroscopy con tre sorgenti laser (514 nm, 633 nm, e 785 nm), Microscopio elettronico a scansione con microanalisi, Spettrometro ad emissione ottica per profili composizionali (GDOES).
• Simulatori solari AM 1.5 Global, 100 mW/cm2, a singola e doppia sorgente in Classe A per valutare l’efficienza nominale delle celle solari piane e a concentrazione; Sistema per misure di efficienza quantica di dispositivi a singola, doppia e tripla giunzione con e senza bias di luce o tensione; Apparati per misure di conducibilità, energia di attivazione, della costante di Hall nell’intervallo 77-500 K; Apparati per la mappatura della resistività; Apparati per la determinazione di densità degli stati di difetto all’interno della banda proibita, della lunghezza di diffusione dei portatori minoritari e del tempo di vita dei portatori transienti in semiconduttori.